Уводзіны ў тэхналогію святлодыёдных дысплеяў

СучасныСвятлодыёдныя экраныабапіраюцца на электралюмінесцэнцыю паўправаднікоў, дзе мікрасхемы InGaN/GaN выпраменьваюць сіняе святло (450 нм), ператворанае ў белае з дапамогай люмінафорнага пакрыцця. Дысплеі высокага класа забяспечваюць 16-бітныя адценні шэрага, частату абнаўлення 3840 Гц і яркасць 5000 ніт для прымянення на вуліцы.

Сыравіна і кампаненты

1. Святлодыёдныя чыпы

• Тып: блакітныя мікрасхемы InGaN (2835/1010 пакетаў)

• Тэхнічныя характарыстыкі:

• Даўжыня хвалі: 450±2 нм

• Прамое напружанне: 2,8-3,4 В пры 20 мА

• Святлоаддача: ≥180 лм/Вт

2. Матэрыялы для інкапсуляцыі

3. Падкладкі

• Алюмініевая друкаваная плата: Цеплаправоднасць ≥2.2W/m·K, таўшчыня Cu 35±5μm

• Керамічная друкаваная плата: падкладкі AlN (24 Вт/м·K) для магутных святлодыёдных масіваў

Рабочы працэс вытворчасці святлодыёдаў LAMP

1. Die Bonding

• Клейкі: Серабрысты эпаксід (80% утрымання Ag)

• Зацвярдзенне: 150 ℃/1 гадзіна, таўшчыня лініі злучэння 25±5 мкм

• Дакладнасць: Памылка размяшчэння ≤±15 мкм

2. Склейванне дроту

• Дрот: 99,99% Au, дыяметр 1,0 мілі

• Параметры: Магутнасць ультрагуку 50 Вт, сіла 30 г, час цыклу 0,3 с

3. Інкапсуляцыя

• Працэс: Вакуумнае заліванне (≤1 кПа, 30 хвілін дэгазацыі)

• Зацвярдзенне: 135 ℃/4 гадзіны, дыяметр бурбалкі ≤30 мкм

4. Канчатковая зборка

• Фармаванне штыфта: Зрух рэзкі допуск ±0,1 мм

• Бінінг: Даўжыня хвалі ±2 нм, інтэнсіўнасць святла ±5%

Вытворчы працэс святлодыёдаў SMD

1. Друк паяльнай пастай

• Трафарэт: Нержавеючая сталь, выразаная лазерам, таўшчыня 0,12 мм

• Прыпой: сплаў SAC305, аб'ём 80-120 мкм (маніторынг SPI)

2. Размяшчэнне кампанентаў

• машына: Высакахуткасны збор (30 000 CPH)

• Дакладнасць: ±0,03 мм (X/Y), ±0,5° (θ)

3. Пайка аплавленнем

• Профіль:

• Папярэдні разагрэў: 1-2 ℃/с да 150 ℃

• Пік: 245 ℃ (60 с вышэй за 217 ℃)

• Атмасфера: Азот (O₂ <1000 праміле)

4. Фармоўка і нарэзка

• Лепка: Працэс перадачы пры 8-12 МПа, 150 ℃/180 с

• Лазерная рэзка: УФ-лазер 355 нм, магутнасць 5 Вт, хуткасць 100 мм/с

Mini/Micro LED Advanced Processes

1. Тэхналогія перадачы масы

• Лазерны пад'ём (LLO):

• Хуткасць перадачы: 99,99% (R&D), 99,9% (вытворчасць)

• Дакладнасць: размяшчэнне ±1,5 мкм

2. Чып-на-платы (COB)

• Шчыльнасць пікселяў: 100-200 PPI

• Інкапсуляцыя: Чорная эпаксідная заліванне (ΔE <1,5)

3. Стандарты аўтамабільнага ўзроўню

• AEC-Q102: ад -40 ℃ да 125 ℃ пры працы, 85 ℃/85% адноснай вільготнасці/1000 гадзін

• Тэст на вібрацыю: Шок 50G (MIL-STD-883 Method 2002)

Сістэмы кантролю якасці

1. Інспекцыя ў працэсе

• AOI: Выяўленне дэфектаў ≥99,9% (прыпойныя перамычкі, адсутныя дэталі)

• Рэнтгенаўскі: пустэча <15% у паяных злучэннях

2. Тэставанне навакольнага асяроддзя

3. Фотаметрычныя выпрабаванні

• Інтэграцыйная сфера: Допуск CCT ±150K, CRI ≥80

• Кут агляду: ≥140° па гарызанталі/вертыкалі, падзенне яркасці ≤50%.

Упакоўка і лагістыка

1. Абарона ад вільгаці

• Узровень MSL: Узровень 3 (72 гадзіны жыцця падлогі пры 30 ℃/60% адноснай вільготнасці)

• Сухая ўпакоўка: <10% адноснай вільготнасці з асушальнікам

2. Устойлівасць да ўдараў/вібрацыі

• ISTA 3A: Вытрымлівае падзенні з вышыні 1,2 м, удары 50G

3. Дакументацыя аб адпаведнасці

• БяспекаUL/cUL, CE, CCC

• Экалагічныя: RoHS 2.0, REACH SVHC <0,1%