モダンなLEDディスプレイスクリーン半導体発光技術を採用しており、InGaN/GaNチップは青色光(450nm)を発し、蛍光体コーティングによって白色光に変換されます。ハイエンドディスプレイは、16ビットグレースケール、3840Hzのリフレッシュレート、そして屋外用途で5,000nitsの輝度を実現します。
タイプ: InGaNブルーチップ(2835/1010パッケージ)
仕様:
波長: 450±2nm
順方向電圧: 2.8~3.4V @20mA
発光効率: ≥180 lm/W
材料 | プロパティ | 応用 |
---|---|---|
エポキシ樹脂 | 屈折率1.53、ΔYI <2 | ランプLED |
シリコーン | 透過率95%、CTE250ppm | SMD/ミニLED |
EMC | ハロゲンフリー、TG150℃ | 自動車用ディスプレイ |
アルミニウムPCB:熱伝導率≥2.2W/m·K、Cu厚さ35±5μm
セラミックPCB高出力LEDアレイ用AlN基板(24W/m·K)
接着剤:銀エポキシ(銀含有量80%)
硬化:150℃/1時間、接着層厚さ25±5μm
正確さ: 配置誤差≤±15μm
ワイヤー: 99.99% Au、直径1.0ミル
パラメータ: 超音波出力50W、力30g、サイクル時間0.3秒
プロセス:真空ポッティング(≤1kPa、30分脱ガス)
硬化:135℃/4時間、気泡径≤30μm
ピン成形: せん断切断公差±0.1mm
ビニング波長±2nm、光度±5%
ステンシル: レーザーカットステンレス鋼、厚さ0.12mm
半田: SAC305合金、体積80~120μm(SPIモニタリング)
機械: 高速ピックアンドプレース(30,000 CPH)
精度:±0.03mm(X/Y)、±0.5°(θ)
プロフィール:
予熱:1~2℃/秒で150℃まで
ピーク:245℃(217℃より60秒以上)
雰囲気: 窒素 (O₂ <1,000ppm)
成形: 転写プロセス @8-12MPa、150℃/180秒
レーザー切断: 355nm UVレーザー、5W出力、100mm/s速度
レーザーリフトオフ(LLO):
転送率: 99.99% (研究開発)、99.9% (生産)
精度: ±1.5μmの配置
ピクセル密度: 100~200PPI
カプセル化:黒色エポキシ充填材(ΔE <1.5)
AEC-Q102動作温度範囲:-40℃~125℃、85℃/85%RH/1,000時間
振動試験: 50G衝撃(MIL-STD-883メソッド2002)
あおい: 欠陥検出率 ≥99.9% (はんだブリッジ、部品欠落)
X線: はんだ接合部のボイド率<15%
テスト | 条件 | 要件 |
---|---|---|
熱サイクリング | -40℃↔85℃、1,000サイクル | 光束維持率 ≥97% |
塩水噴霧 | 5% NaCl、96時間 | 腐食面積≤3% |
ハスト | 130℃/85%RH、96時間 | かつ≥100MΩ |
積分球: CCT許容範囲±150K、CRI≥80
視野角: 水平/垂直140°以上、輝度低下50%以下
MSLレベルレベル3(72時間床置き保存@30℃/60%RH)
ドライパッケージング: 乾燥剤使用時湿度10%未満
イスタ3A: 1.2mの落下、50Gの衝撃に耐える
安全性: UL/cUL、CE、CCC
環境: RoHS 2.0、REACH SVHC <0.1%
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