Introducción a la tecnología de pantalla LED

ModernoPantallas LEDSe basan en la electroluminiscencia de semiconductores, donde los chips InGaN/GaN emiten luz azul (450 nm) que se convierte en blanca mediante un recubrimiento de fósforo. Las pantallas de alta gama alcanzan una escala de grises de 16 bits, frecuencias de actualización de 3840 Hz y un brillo de 5000 nits para aplicaciones en exteriores.

Materias primas y componentes

1. Chips LED

• Tipo: chips azules de InGaN (paquetes 2835/1010)

• Presupuesto:

• Longitud de onda: 450 ± 2 nm

• Voltaje directo: 2,8-3,4 V a 20 mA

• Eficacia luminosa: ≥180 lm/W

2. Materiales de encapsulación

3. Sustratos

• PCB de aluminio:Conductividad térmica ≥2,2 W/m·K, espesor de Cu 35 ± 5 μm

• PCB de cerámica: Sustratos de AlN (24 W/m·K) para matrices de LED de alta potencia

Flujo de trabajo de producción de LED LAMP

1. Unión de matrices

• Adhesivo:Epoxídico de plata (80% de contenido de Ag)

• Curación: 150 ℃/1 hora, espesor de la línea de unión 25 ± 5 μm

• Exactitud: Error de colocación ≤±15μm

2. Unión por cable

• Cable:99,99 % Au, diámetro 1,0 milésimas de pulgada

• Parámetros:Potencia ultrasónica 50 W, fuerza 30 g, tiempo de ciclo 0,3 s

3. Encapsulación

• Proceso: Encapsulado al vacío (≤1 kPa, desgasificación durante 30 min)

• Curación: 135 ℃/4 horas, diámetro de burbuja ≤30 μm

4. Montaje final

• Formación de pasadores: Corte por cizallamiento con tolerancia de ±0,1 mm

• Agrupamiento:Longitud de onda ±2 nm, intensidad luminosa ±5 %

Proceso de fabricación de LED SMD

1. Impresión con pasta de soldadura

• Plantilla:Acero inoxidable cortado con láser, 0,12 mm de espesor.

• Soldar:Aleación SAC305, volumen 80-120 μm (monitoreado por SPI)

2. Ubicación de los componentes

• Máquina: Pick and Place de alta velocidad (30.000 CPH)

• Precisión: ±0,03 mm (X/Y), ±0,5° (θ)

3. Soldadura por reflujo

• Perfil:

• Precalentar: 1-2℃/s a 150℃

• Pico: 245 ℃ (60 s por encima de 217 ℃)

• Atmósfera: Nitrógeno (O₂ <1.000 ppm)

4. Moldeado y corte en cubitos

• Moldura:Proceso de transferencia a 8-12 MPa, 150 ℃/180 s

• Corte por láser: Láser UV de 355 nm, potencia de 5 W, velocidad de 100 mm/s

Procesos avanzados de mini/micro LED

1. Tecnología de transferencia de masa

• Despegue láser (LLO):

• Tasa de transferencia: 99,99 % (I+D), 99,9 % (producción)

• Precisión: colocación de ±1,5 μm

2. Chip en placa (COB)

• Densidad de píxeles:100-200 PPI

• Encapsulación: Relleno de epoxi negro (ΔE <1,5)

3. Estándares de grado automotriz

• AEC-Q102: Funcionamiento de -40 °C a 125 °C, 85 °C/85 % de humedad relativa/1000 h

• Prueba de vibración:Choque de 50 G (MIL-STD-883 Método 2002)

Sistemas de control de calidad

1. Inspección en proceso

• Área de información geográfica: Detección de defectos ≥99,9 % (puentes de soldadura, piezas faltantes)

• Radiografía: Vaciado <15% en juntas de soldadura

2. Pruebas ambientales

3. Pruebas fotométricas

• Esfera Integradora: Tolerancia CCT ±150 K, CRI ≥80

• Ángulo de visión: ≥140° horizontal/vertical, ≤50 % de caída de brillo

Embalaje y Logística

1. Protección contra la humedad

• Nivel MSL: Nivel 3 (72 horas de vida útil a 30 °C/60 % de humedad relativa)

• Envasado seco: <10 % HR con desecante

2. Resistencia a golpes y vibraciones

• ISTA 3A:Sobrevive a caídas de 1,2 m e impactos de 50 G.

3. Documentación de cumplimiento

• Seguridad: UL/cUL, CE, CCC

• Ambiental: RoHS 2.0, REACH SVHC <0,1 %